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正确了解EL3052可控硅光耦的触发电流

发布日期:2020-04-09 16:34:49

6PIN双向可控硅光耦EL3052为双列直插式封装的光耦,峰值击穿电压(耐压)600V,输入端与输出端高隔离电压高(5000Vrms),EL3052包含一个砷化镓的红外发光二极管发光耦合到一个双向可控硅,红外发光二极管在5~15mA正向电流作用下发出足够强度的红外线,触发输出部分。输出部分是一个硅光敏双向可控硅,在红外线的作下可双向导通。该器件为六引脚双列直插式封装,其引脚配置和内部结构见下图。双向可控硅光耦器件是一种单片机输出与双向可控硅之间较理想的接口器件,可以控制负载在交流115~240V工作。 符合RoHS环保与无铅制程。 安规认证通过:UL,VDE,SEMKO,NEMKO,DEMKO,FIMKO,CSA

EL3052尺寸

6PIN双向可控硅光耦EL3052额定最大值

1. 输入端红外发射管顺向电流最大60mA;反向电压最大6V;功率消耗最大100mW(高于85℃时,额定值降低因素:3.8mW/℃)

2. 输出端最高耐压VDRM,EL3052:600V。重复的冲击电流峰值ITSM:1安培。功率消耗最大300mW(高于85℃时,额定值降低因素:7.4mW/℃)

3. 总的功率消耗:330mW

4. 工作温度:-55~+100℃

5. 储存温度:-55~+125℃

6. 输入端与输出端高隔离电压达5000Vrms

7. 焊锡温度:260℃

 

6PIN脚 过零双向可控硅光耦EL3052电子特性:

输入端:

1. 顺向电压VF平均1.18V,最大1.5V(顺向电流10mA);

2. 反向电流IR最大10uA(反向电压:6V)

输出端:

1. 阻断电流峰值IDRM:100nA

2. 通态峰值电压VTM:2.5V(ITRMS:100mA)

3. 通态电流临界上升率但dv/dt:最小1000V/us

传输特性:

1. LED触发电流IFT:10mA(主要终端电压:3V)

2. 维持电流IH:平均250uA

 

***今天,客人反馈信息说:EL3052可控硅光耦的规格书上,触发电流的最小值没有标注,问我这个触发电流的最小值是多大?图示如下:

 

光耦触发电流

******EL3052可控硅光耦触发电流是最大值10mA,也就是低于10mA都能驱动,维持电流平均值250uA,也就是大约250uA就可以使用,具体设计中可以参考这个说明

 

EL3052可控硅光耦的传输特性:

1. LED触发电流IFT:Max 10mA(主要终端电压:3V)

2. 维持电流:平均250uA

3. 如果需要选择更低触发电流的规格,可以选择EL3053,触发电流Max:5mA

文章关键词:光耦、可控硅光耦,晶体管光耦,高速光耦,达林顿光耦,继电器光耦
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